XXX～YYY℃の範囲に維持される温度、be desirably grown epitaxially using --

第１のエミッタ層３６とベース領域３４の間の相互拡散がほとんどない接触面をいじするため、第２の層４０は、４００～６００℃の範囲に維持される温度にて、標準的な技術を使用してエピタキシャル成長されるのが望ましい。

Second layer 40 is desirably grown epitaxially using standard techniques at temperatures that generally remain in the400-600 C range to preserve the substantially interdiffusion-free interface between first emitter layer 36 and base region 34.

特許公表２００１－５１８７１６
WO9917372より引用