特許の英語（特許翻訳分野）

after some time

After some time, the PH3 flow is slightly reduced. After the growth of the Si [P] layer is completed the PH3 gas flow is stopped.

ある時間の後、PH3のフローが少し低減される。Si[P]層の成長が完了した後に、PH3ガスフローが停止される。

特許公表２００４－５３３７１５
WO02079551より引用

It is noted that ---

各処理時間と層の厚さ間の実際の比は示されてないことに注意する。

It is noted that no indication is given of the actual ratio of the respective processing times and layer thicknesses.

特許公表２００４－５３３７１５
WO02079551より引用

において、on ---

両方の軸において任意単位が用いられている。

On both axes arbitrary units are used.

特許公表２００４－５３３７１５
WO02079551より引用

adversely

ただし、Pレベルは、HBT構造に悪影響を与えるほど高くはならない。

However, the P level remains low enough and does not adversely affect the HBT structure.

特許公表２００４－５３３７１５
WO02079551より引用

drop 落ちる

PH3フローが止められた後、Pのレベルは落ちる。

After the PH3 flow has been switched off, the P level drops.

特許公表２００４－５３３７１５
WO02079551より引用

unlike とは異なり

従来の技術による方法を用いて成長されたプロフィルとは異なり、デバイスの機能を妨害するような大きなPのピークは存在しない。

Unlike the profile grown by means of the method from the prior art, no major P peaks are present, which disturb the functioning of the device.

特許公表２００４－５３３７１５
WO02079551より引用

It has been found that

成長を中断しなければ、ドーパント元素Pは層遷移の所に蓄積されず、二次Pスパイクが抑制されることが発見された。

It has been found that if the growth is not interrupted, the dopant element P does not accumulate at the layer transitions and secondary P spikes are suppressed.

特許公表２００４－５３３７１５
WO02079551より引用

in spite of

図１に示すようなPプロフィルは、長いオートドーピングテールを有するが、それでも、例えば、HBT構造のコレクタ部分のin-situドーピングに用いることはできる。

In spite of its long autodoping tail, a P profile as shown in Figure 1 can still be used, e. g. for in-situ doping the collector part of a HBT structure.

特許公表２００４－５３３７１５
WO02079551より引用

contain include involve comprise

【類義語】
●include 全体の中の部分的な要素として含む.
comprehend あるものの範囲や限界の中に含む; 格式ばった語.
●comprise 全体をなす全ての要素として含む.
●embrace 特にその中に含まれているものの多様性や範囲の広さを強調する.
●involve 原因とその必然的結果のような関係で含む.
（研究社　新英和中辞典より引用）

SYN　含む:
●include 全体の一部･成分として含む: I include you among my friends. 君を友人の中に含めている.
●contain include と同義に用いることも多いが, 「一定の枠内に含む」という含意があるので, 主語が容器･建物･場所などの場合は contain の方を用いる: This chest contains our family heirlooms. この箱にはわが家の家宝が入っている.
●comprise 構成要素として持つ 《格式ばった語》: The university comprises five departments. その大学は五つの学部から成る.
●comprehend 全範囲内に包含する 《格式ばった語》: The scope of linguistics comprehends every aspect of language. 言語学は言語のすべての面をその射程内に収めている.
●embrace 特に多様なものを包含する: The book embraces many subjects. その本は多くの主題を含んでいる.
●subsume ある範疇･類の中に包含する 《格式ばった語》: Scarlet is subsumed under red. 緋色は赤の範疇に属する.
ANT exclude.
（研究社　新英和大辞典より引用）

類似した（の）

図１に示すそれと類似のドーパントプロフィルを、例えば、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（heterojunction bipolar transistor, HBT）のコレクタ内に用いることを試みた場合、Pスパイクが全ての界面（Si/SiGe、SiGe/SiGe[B]、SiGe/Si）の所に現れ、目標プロフィルが破壊される恐れがある。

When one tries to use a dopant profile similar to that shown in Figure1, for example in the collector of a heterojunction bipolar transistor (HBT), P spikes pop up at every interface (Si/SiGe, SiGe/SiGe [B], SiGe/Si), which destroy the target profile.

特許公表２００４－５３３７１５
WO02079551より引用

in contrast to #02

SiH4をSiの前駆体として用いて成長される図１のドーパントプロフィルとは対照的に、この場合はスパイクは存在せず、単にオートドーピングテールのみが存在する。

In contrast to the dopant profile of Figure 1 that is grown using SiH4 as the Si precursor, there is no spike in this case, just an autodoping tail.

特許公表２００４－５３３７１５
WO02079551より引用

moreover 更に

更に、この方法にて、厚いドープドエピタキシャル層（スパイク）を成長させることもできる。

Moreover, the method enables the growth of thin doped epitaxial layers (spikes).

特許公表２００４－５３３７１５
WO02079551より引用

differ from

このタイプのエピタキシャル成長過程におけるこの現象のために、得られるドーパントプロフィルが所望のプロフィルからずれることがある。

Due to this effect in such an epitaxial growth process, the dopant profile obtained will differ from the desired profile.

特許公表２００４－５３３７１５
WO02079551より引用

和文＝現在形、英文＝現在完了形

典型的に集積回路回折格子は電子ビーム技術により実現される。。

Typically integrated circuit diffraction grating has been achieved by e-beam techniques.

特許公表２００４－５３５６６７
WO02091441より引用

現在完了形の文章

                  

集積回路速度の顕著な改良に潜在的に有用であることが分かっている高周波数のために、これを実現することは製造手法上困難であった。

This has been difficult to achieve in a manufacturable manner for the high frequencies that are being found to potentially useful in significantly improving the speed of integrated circuits.

特許公表２００４－５３５６６７
WO02091441より引用

現在完了形の文章

                  

集積回路速度の顕著な改良に潜在的に有用であることが分かっている高周波数のために、これを実現することは製造手法上困難であった。

This has been difficult to achieve in a manufacturable manner for the high frequencies that are being found to potentially useful in significantly improving the speed of integrated circuits.

特許公表２００４－５３５６６７
WO02091441より引用

in a [some] measure

この屈曲は、ほとんど光の周波数に依存する。

This bending is dependent in a large measure on the frequency of the light.

特許公表２００４－５３５６６７
WO02091441より引用

※研究社　リーダーズでは、以下の定義になっている。
in a [some] measure ある程度, 幾分.

Note that -- 特筆される

２つのタイプの面上に高い品質のフィルム積層を形成するために、シリコンバッファ層をマスキングしたり、パターン化する処理を必要としないということが特筆される。

Note that it was not necessary tomask/pattern the silicon buffer layer to deposit a high-quality filmstack over both types of surface.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

翻訳スクールの見学会

前回の日記で書いた、
http://xenakis.cocolog-tcom.com/blog/2008/05/post_8db3.html
仕事をもらうことを重視する翻訳スクールの見学会の日程が決まりました。

とりあえず、７月５日（土）、12日（土）の4pm-6pmを予定しています。

まだ、以下の翻訳スクールのサイトが更新されていないと思いますが、上記の日時で行う予定です。
内容の詳細は、以下のサイトを時々ご覧ください。
http://www.qollounge.com/ps/index.php

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during, for, …の間

then 次に

次に、フォトレジストマスク５６０を除去し、第２のシリコン源（できるだけ同じもの）を用いる成膜プロセスにより、図５Ｄに示したように、単結晶面５２０上に、仕様に合ったエピタキシャルフィルム５７０を形成する。

The photoresist mask 560 is then removed and a deposition process using a second (possibly the same) silicon source deposits an acceptable epitaxial film 570 onto the single-crystal surface 520 as illustrated in Figure 5D.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

during の間

エッチングの間、フォトレジストマスク５６０が、その下層の多結晶領域５４０を保護する。この多結晶領域５４０は、後に、ウインドウ５２０に形成されるベース領域とのコンタクトを形成するのに使用される。
During the etching, the photoresist mask 560 protects the underlying polysilicon regions 540, which later serve to make contact with the base region being formed in the window 520.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

call for 要求する

これらの処理工程の中で、この領域におけるエッチングが要求されるので、これらの成膜条件でも、単結晶面５２０上の領域５５０で、多結晶形態となる傾向がある。

These deposition conditions also tend to produce a polycrystalline morphology in the region 550 over the single-crystal surface 520, since the process flow calls for etching in this region.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

due to #02

一般に、酸化物の表面では核生成が起こりにくいために、長時間の成膜によって、最終的に、連続した、ほぼ均一な厚さになる。この長時間の処理は、活性領域のウインドウ（単結晶面）５２０上への過剰の膜形成という結果になる。

Due to generally poornucleation over the oxide surfaces, extended deposition eventually results in a continuous and acceptably uniform thickness, which extended process results in excessive deposition over the active area window 520.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

with or without

さらに、好ましい実施の形態に係るバッファ層４１４がある場合でも、ない場合でも、トリシランは、１つのステップで、異質のもので構成された表面上への成膜を容易にする。

Moreover, with or without the buffer layer 414 of the preferred embodiments, trisilane facilitates deposition over heterogeneous surfaces in one step;

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

instead of

例えば、両方の表面に直接ＳｉＧｅを成膜するために、シラン、ジシラン、ジクロロシラン、トリクロロシラン、テトラクロロシランなどのシリコン源の代わりにトリシランを用いると、バッファ層（多結晶領域）４１４を成膜するためのステップを省略することができる。

For example, the step of depositing a buffer layer 414 can be omitted when trisilane is used to deposit SiGe directly onto both surfaces instead of a silicon source such as silane, disilane, dichlorosilane, trichlorosilane ortetrachlorosilane.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

recognize

しかし、本技術に係る技術者であれば、開示されている方法は、ｐｎｐデバイスの製造に同様に応用できることが理解されるはずである。

However, those skilled in the art will recognize that the described methods are equally applicable to the fabrication of pnp devices.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

ばらつき

・ばらつきが大きい[小さい] vary 「widely [little]
・ばらつきが生じる[出る] variation arises; discrepancies appear
・複数の実験のデータの間にばらつきが見られる. Discrepancies exist in the data obtained from multiple experiments.
・徹底した品質管理によって製品の質のばらつきが少なくなった. Strict quality control has reduced the number of anomalies in our products.
・製品のできに多少のばらつきがあるのはやむをえない. A certain amount of variation in the finished product is unavoidable
・ばらつきを減らす[低減する] reduce discrepancies; reduce variation
・寸法のばらつきを最小限に抑える keep [reduce] variations in measurement to a minimum.
（研究社　新和英大辞典第５版より引用）

would

格子構造が下層の単結晶基板の格子構造に整合するように、フィルムが成長する時には、原子が、独立したバルク材料の格子構造で正常に占める位置から離れているので、格子歪みが存在する。

Lattice strain is present because the atoms depart from the positions that they would normally occupy in the lattice structure of the free-standing, bulk material when the film deposits in such a way that its lattice structure matches that of the underlying single crystal substrate.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

e.g. たとえば

上記の厚さの範囲は、混合基板全体、すなわち、結晶質と非晶質の両方の表面上におけるフィルムの厚さを意味する。

The thickness ranges described above refer to deposition over the entire mixed substrate, e. g., over both the crystalline and amorphous surfaces.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

＊e.g.  (exempli gratia)
for example とも読む.
（研究社　新英和中辞典より引用）

in this context このような関係[状況]において(は)

（研究社　新英和中辞典より引用）

言い換えると、「バッファ層」は、後に続く層の成長を容易にするか、又は下の層を保護する目的のために、基板上に形成されるＳｉ含有フィルムということになる。

In this context, a "buffer layer" is a Si-containing film that is deposited onto a substrate for the purpose of facilitating the deposition of a subsequent layer or protecting an underlying layer.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

while 一方

また、非晶質のフィルムは、低い温度の非晶質及び多結晶の基板表面に形成されやすい。一方、多結晶フィルムは、比較的高い成膜温度で、非晶質及び多結晶の表面に形成される傾向がある。

Amorphous film formation is favored over amorphous and polycrystalline substrate surfaces at low temperatures, while polycrystalline films tend to form over amorphous and polycrystalline surfaces at relatively high deposition temperatures.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

per se

例えば、"ＳｉＧｅ"は、シリコンとゲルマニウムと必要に応じて含まれるドーパントのような元素で構成された材料である。また、"ＳｉＣ"、"ＳｉＧｅ"及び"ＳｉＧｅＣ"は、化学量論式を表すものではなく、示された元素を特定の割合で含む材料に限定されるものではない。

For example,"SiGe"is a material that comprises silicon, germanium and, optionally, other elements, e. g., dopants."SiC","SiGe",and"SiGeC"are not chemical stoichiometric formulas per se and thus are not limited to materials that contain particular ratios of the indicated elements.

＊per se
adv. 自ら, それ自体が[で], 本質的に
（研究社　新英和大辞典より引用）

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

考慮する、考慮に入れる

なお、本技術分野に係る技術者であれば、熱費の維持、成膜速度などの製造現場の実態を考慮して、これらの温度の範囲を調節することができる。

Those skilled in the art can adjust these temperature ranges to take into account the realities of actual manufacturing, e. g., preservation of thermal budget, deposition rate, etc.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

take account of…＝take…into account
…を考慮に入れる
（研究社　新英和中辞典より引用）

be made from #02

材料が同じ元素で構成されていたとしても、表面の形態が相違すれば、表面（表面特性）が異なったものとなり得る。

Even if the materials are made from the same element, the surfaces can be different if the morphologies of the surfaces are different.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

be made from

例えば、銅又はシリコンのように異なった元素、銅とアルミニウムのように異なった金属、シリコン又はシリコン酸化物のようにＳｉを含む異なった材料によって形成することができる。

For example, the surfaces can be made from different elements such as copper or silicon, or from different metals, such as copper or aluminum, or from different Si-containing materials, such as silicon or silicon dioxide.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

purport

また、第６，２３５，５６８号には、低いエネルギで全体にイオン注入する事前成膜ステップを行うことによって、この問題の解決を行うことが記載されている。

U. S. 6,235,568 purports to provide a solution to this problem by carrying out a predeposition low energy blanket ion implantation step.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

＊purport
vt.
1a [to be を伴って] 〈書類などが〉…という意味であるように思われる, …とされている, …と称する, 主張する (claim).
･a letter purporting to be written by you [to contain your decision] 君が書いた[君の決意を記してある]と称する手紙.
b [しばしば that-clause を伴って] 〈書類･演説などが〉意味する (imply), 伝える (convey), …が主旨である.
･His answer purports his sickness [that he was sick]. 返答の意味は彼が病気だ[病気だった]ということだ.
（研究社　新英和大辞典より引用）

in turn

言い換えれば、必要とされる厚さと形態によって、フィルムの成膜条件が決定される。これは、特に、単結晶シリコン基板の上で歪みを生じるヘテロエピタキシャルフィルムの場合に該当する。

The needed thickness and morphology, in turn, dictate the deposition conditions for the film. This is especially the case for heteroepitaxial films that are strained on single crystal silicon substrates.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

dictate

多くの場合、製品の半導体デバイスに関する目標の性能特性（動作特性）に応じて、エピタキシャル面に形成されるＳｉ含有フィルムの厚さ、形態、成膜温度及び許容可能な成長速度が決定される。

In many cases, the desired performance characteristics of the resulting semiconductor device dictate the thickness, morphology, temperature of deposition and allowable deposition rate of the Si-containing film that is deposited over the epitaxial surface.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

3 [transitive]    to control or influence something [= determine]
*dictate what/how etc   
Funds dictate what we can do.
*dictate that   
The laws of physics dictate that what goes up must come down.
The massive publicity dictated a response from the city government.
（LDOCEより引用）

spotty

酸化物上での時間的にむらのある核生成サイトの集合によって、隣接する非絶縁体領域における成膜が著しく進行する。

By the time spottynucleation sites converge on the oxide, deposition over adjacent nondielectric regions has progressed considerably.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

because of #03

このような核生成に関する問題点があるために、従来のシリコン源と成膜プロセスを用いることによって、２つ又はそれ以上の異なったタイプの表面を有する基板上に、同じ物理的性質を持つＳｉ含有材料の薄いフィルムを成膜することには、大きな問題がある。

Because of thesenucleation issues, deposition of thin film Sicontaining materials with similar physical properties onto substrates having two or more different types of surfaces using conventional silicon sources and deposition methods is often problematic.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

●because of
・He decided to attend the concert in part because of his friendship with the conductor. 彼が音楽会に行くことにしたのは一つには指揮者が友人だからだった
・It was largely because of you that he failed. 彼が失敗したのは大部分は君のせいだ
・Because of illness, I was unable to accompany them. 病気のため彼らと一緒に行けなかった.
（研究社　新編英和活用大辞典より引用）

critical

従来のシリコン源と成膜プロセスを用いる場合、核生成が極めて重要で、核生成はほぼ基板の品質に依存している。

When using conventional silicon sources and deposition processes, nucleation is very important and critically dependent on substrate quality.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

●critical
extremely important because a future situation will be affected by it syn crucial: a critical factor in the election campaign
* Reducing levels of carbon dioxide in the atmosphere is of critical importance.
* Your decision is critical to our future.
--> note at essential
（OALDより引用）

begin to V after S be PP

このフィルムは、遷移フィルムが形成された後に成長し始める厚いバルクフィルムとは異なる化学的性質と物理的性質を有している。

It generally has chemical and physical properties that are different from the thicker bulk film that begins to grow after the transition film is formed.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

＊generallyは、翻訳時に訳モレか？

as につれて #02

概して、降伏電圧が増大するとトランジスタの動作速度は減少する。

In general, the speed of the transistor decreases as the breakdown voltage increases.

特許公表２００４－５３８６４６
WO03015177より引用
（日→英なので、英文は参考程度以下として扱うこと）

trade-off

当該バイポーラトランジスタの設計には、多くのパラメータ間のトレードオフ（ｔｒａｄｅ－ｏｆｆ）が存在する。重要なパラメータは、コレクタ・ベース間又はコレクタ・エミッタ間の降伏電圧（ブレークダウン電圧（ｂｒｅａｋｄｏｗｎ ｖｏｌｔａｇｅ））である。

The design of such bipolar transistors is a trade-off between a large number of parameters. An important parameter is the breakdown voltage between the collector and the base or the emitter.

特許公表２００４－５３８６４６
WO03015177より引用
（日→英なので、英文は参考程度以下として扱うこと）

＊trade-off
トレードオフ 〔between〕 《二つの相反するものの間で, 一方を取ればもう一方を犠牲にしなければならない状態》.
（研究社　新英和中辞典より引用）

inter alia 中でも, なかんずく

バイポーラトランジスタは非常に多くの用途、なかんずく例えば低雑音増幅器（ｌｏｗ－ｎｏｉｓｅ ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）、マルチプレクサ（ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅｒ）、及びデマルチプレクサ（ｄｅｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅｒ）のような高周波ＲＦ用途において使用されている。

Bipolar transistors are used in a large number of applications, inter alia highfrequency RF applications, such as low-noise amplifiers, multiplexers and demultiplexers.

特許公表２００４－５３８６４６
WO03015177より引用
（日→英なので、英文は参考程度以下として扱うこと）

be not initially at a XXX level

前述のシナリオに関して遠隔位置でのトランシーバ９の受信機動作に目を向けると、RTS信号は最初は論理ハイレベルになく、内部マイクロコントローラ39は、データが第１の所定の周波数で遠隔トランシーバ３から受信されているかどうか(すなわち、スタートビットは受信機出力で検出されている。すなわち、Ｒr(fc1)=“1”)を決定するためにトランシーバ９の受信機部に接続された入力ピンをポーリングする(ステップ1152)。

Turning to the receiver operation of transceiver 9 at the remote location for the scenario discussed above, the RTS signal is not initially at a logic high level, and the internal microcontroller 39 polls the input pin connected to the receiver portion of the transceiver 9 (step 1152) in order to determine whether data is being received from remote transceiver 3 at the first predetermined frequency (i. e. the start bit is detected at the receiver output: (fcl) ="l").

特許公表平９－５１１８７７
WO9522197より引用

if after sending XXX

上記に指示されるように、fc2搬送周波数でテストシーケンス及びデータパケットを送信後、なおいかなるACKパケットもDTE７から受信されないならば、RTSはDTE１によって再び上げられ、第３の搬送周波数fc3でテストシーケンス及びデータパケットの再送信をさせる(ステップ1108)。

As indicated above, if after sending the test sequence and data packet at the fc2 carrier frequency and still no ACK packet is received from DTE 7, then RTS is raised again by DTE 1, causing retransmission of the test sequence and data packet at the third carrier frequency fc3 (step 1108).

特許公表平９－５１１８７７
WO9522197より引用

let＋目的語＋動詞の原形

その後、マイクロコントローラ39は、データ情報パッケージの送信が開始できることをデータ端末に知らせるためにCTS(送信クリア)信号(ステップ1113)を高める。

After that, microcontroller 39 raises the CTS (Clear To Send) signal (step 1113) to let the data terminal know that transmission of data information packages can begin.

特許公表平９－５１１８７７
WO9522197より引用

whether XXX have been PP

トランシーバ３のマイクロコントローラ39は、ステップ1103で論理ハイ値を検出し、次に内部フラグ“予想ACK”がセットされたかどうかをチェックする(ステップ1104)

Microcontroller 39 of transceiver 3 detects the logic high value at step 1103 and then checks whether the internal flag "ACK expected" has been set (step 1104).

特許公表平９－５１１８７７
WO9522197より引用

raise XXX to a YYY value

上記に論じられるように、データ端末１がデータパケットを送信したいとき、データ端末１はRTS電圧を論理ハイ値に上げる。

As discussed above, when data terminal 1 wishes to send a data packet, it raises the RTS voltage to a logic high value.

特許公表平９－５１１８７７
WO9522197より引用

operation

マイクロコントローラ39は、ステップ1101でトランシーバ３及び９の両方で動作を開始し、それぞれのデータ端末１及び７からのRTS制御信号に関係するRS-232入力ピンをポーリングするためのアイドルループを実行する（ステップ1103）。

Microcontroller 39 begins operation in both transceivers 3 and 9 at step 1101, and executes an idle loop for polling the RS-232 input pin connected to the RTS control signal from respective data terminals 1 and 7 (step 1103).

特許公表平９－５１１８７７
WO9522197より引用

●operation
[名]
(1) [U] 〔機械などの〕運転, 操作; 運行; 動き方
･the operation of a crane 起重機の運転
･understand the operation of a word processor ワープロの操作を理解する.
(2)a [U] 〔事業などの〕運営, 経営
･the operation of a company 会社の経営.
b [C] 会社, 企業
･a huge multinational computer operation 巨大な多国籍コンピューター企業.
(8) [C]
a 【数】 運算, 演算.
b 【電算】 オペレーション, 演算, 操作《電算機の実行する基本命令》.
（研究社　新英和中辞典より引用）

undertake

好ましい実施例によると、３回までの再送信は３つの異なる搬送周波数(fc1、fc2、及びfc3)で始められる。

According to the preferred embodiment, up to three retransmissions are undertaken at three different carrier frequencies (fcl, fc2 and fc3).

特許公表平９－５１１８７７
WO9522197より引用

●undertake
(1) 〈仕事･義務･責任などを〉引き受ける, 請け負う
･undertake a task [responsibility for…] 仕事[…の責任]を引き受ける
･The lawyer undertook the case without a fee. 弁護士はその事件を無報酬で引き受けた.
(2) 〈仕事･実験などに〉着手する, 取りかかる; 企てる
･undertake an experiment 実験に取りかかる
･undertake an enterprise 事業を始める.
(3)a 〈…すると〉請け合う, 約束する
･[+to do] He undertook to do it by Monday. 彼は月曜日までにそれをすると約束した.
b 〈…と〉保証する, 断言する
･[+that] I can't undertake that you will succeed. 君が成功するとは保証できない
（研究社　新英和中辞典より引用）

ascertain

次に、マイクロコントローラ39は、MSA37の状態のどれが最少のビットエラー数を与えるかを確認するために同調テーブルを再精査する。

Microcontroller 39 then reviews the tuning table to ascertain which of the states of MSA 37 provides the least number of bit errors.

特許公表平９－５１１８７７
WO9522197より引用

●ascertain
vt.
1a 〈事実などを〉確かめる, 突き止める, 確認する, 探知する (find out).
･ascertain the cause of (a person's) death (人の)死因を確かめる.
b [しばしば that-clause または wh-clause を伴って] 〈…であると[かを]〉確かめる.
･He ascertained that it was an error.＝He ascertained it to be an error. それが誤りであることを確かめた.
･It is difficult to ascertain where the rumor started. うわさがどこから広まったかを突き止めることは困難だ.
･We must ascertain whether it is his signature. 彼の署名かどうかを確認しなければならない.
（研究社　新英和大辞典より引用）

wish to

データ端末１がデータ端末７に情報を送信したいとき、RS-232制御信号RTS(送信要求)は、それの間の非同期直列通信リンクを介してトランシーバ３に送信される。

When data terminal 1 wishes to transmit information to data terminal 7, an RS-232 control signal RTS (request to send) is transmitted to transceiver 3 via the asynchronous serial communication link therebetween.

特許公表平９－５１１８７７
WO9522197より引用

necessary

クエンチ発振器325は、増幅器315のフィードバック回路に必要なクエンチ周波数信号を供給する。

A quench oscillator 325 provides the necessary QUENCH frequency signal to the feed-back circuit of amplifier 315.

特許公表平９－５１１８７７
WO9522197より引用

●necessary
[形] (more ～; most ～)
(1) 必要な, なくてはならない (←→unnecessary)
･a necessary thing 必要なもの
･It is necessary to prepare for the worst. 最悪の場合に備えることが必要である
･Is it really necessary to put on airs like that? 《口》 そんなに気取る必要があるのかね《★不満を示す》
･That won't be necessary. そんな(ことをする)必要はありませんよ《★申し出などに対して言う》
･Is it necessary that I (should) go?＝[+for+[(代)名]外字+to do] Is it necessary for me to go? 私が行く必要がありますか《★Am I ～ to go? は間違い》
･You may use it again, when(ever) necessary. (いつでも)必要な時にまた使ってよろしい
･She stayed longer than necessary. 彼女は必要以上に長居をしてしまった
･Light and water are necessary to plants. 光と水は植物に必要である
･Medicine is necessary for treating disease. 病気の治療には薬が必要だ.
(2) [A] (比較なし) 必然の, 避けがたい
･⇒necessary evil.
if n´ecessary (もし)必要ならば
･I will go with you, if necessary. 必要なら君といっしょに行こう.
（研究社　新英和中辞典より引用）

all of the XXX #02

“超再生”増幅器315は、マイクロコントローラ39を除いて図２に示された構成要素の全てを含み、増幅器315の超再生動作技術は、図２に関して前述されるようなものである。

A "hyperegenerative" amplifier 315 includes all of the components illustrated in Figure 2 with the exception of microcontroller 39, and the superegenerative operating technique of amplifier 315 is as discussed above with reference to Figure 2.

特許公表平９－５１１８７７
WO9522197より引用

in accordance with …による #02

図５は、本発明によるビットエラーの同調テーブルの内容及び関連同調インピーダンス状態を示し、

Figure 5 shows the contents of a tuning table of bit errors and associated tuning impedance states in accordance with the present invention;

特許公表平９－５１１８７７
WO9522197より引用

any of -- のどれか

同調インピーダンスは、多数の周知の部品の配置のどれかを使用して実現されることができる

The tuning impedances may be realized using any of a number of well known arrangements of components.

特許公表平９－５１１８７７
WO9522197より引用

allow for; provide for

さらに、各送信以前に受信機の自己同調をするためのシステムは実現できるので、本発明のシステムは、わずかに異なる搬送周波数を有する送信機からの信号受信を可能にする。

Furthermore, the system of the present invention allows for signal reception from transmitters having slightly different carrier frequencies since the system provides for self tuning of the receiver prior to each transmission.

特許公表平９－５１１８７７
WO9522197より引用

due to

したがって、本発明のシステムは、時間にわたる部品エージング及び温度変化による受信機の中心動作周波数ドリフトの従来の欠点を解決する。

Thus, the system of the present invention overcomes the prior art disadvantages of receiver centre operating frequency drift due to component ageing and temperature changes over time.

特許公表平９－５１１８７７
WO9522197より引用

quantity

超再生無線周波数技術に従って運用するシステムは、いろいろな短距離無線周波数アプリケーションに役立つために非常に大量に製造され続けている。

Systems operating in accordance with superegenerative radio frequency techniques continue to be manufactured in extremely large quantities for serving a variety of short range RF applications.

特許公表平９－５１１８７７
WO9522197より引用

●quantity
[名]
(1) [U] 量 (amount; ←→quality)
･I prefer quality to quantity. 量よりも質を選ぶ.
(2) [C] (ある特定の)分量, 数量 (amount)
･a given quantity 一定量
･a large [great] quantity of wine [books] 多量のワイン[多数の書物] 《★【用法】 可算名詞の複数形を伴う場合は a (large) number of のほうが普通》
･They had only a small quantity left. 彼らには少ししか残っていなかった.
(3) [C] [複数形で] 多量, 多数
･I had quantities of work to do. しなければならない仕事がたくさんあった.
(4) [C] 【数】 量; 量を表わす数字[符号]
･a known quantity 既知量[数]
･⇒unknown quantity.
in quantity＝in (large) quantities たくさん(の), 多量の[に]
･Food is cheaper when you buy it in quantity. 食料は大量に購入すれば安く買える.
（研究社　新英和中辞典より引用）

in general

本発明は、一般に通信システム、特に送信機搬送周波数のために受信機の実時間自動自己同調をするためのシステムに関するものである。

This invention relates in general to communication systems, and more particularly to a system for real-time automatic self-tuning of a receiver to a transmitter carrier frequency.

特許公表平９－５１１８７７
WO9522197より引用

likewise 同様に

また、同様に、第３の共振器１３２は第３の共振器ノード１３０およびグランドの間に並列に接続された、容量的要素１３４および誘導的要素１３６を含む。

And likewise, a third resonator 132 includes a capacitive element 134 and an inductive element 136, coupled in parallel between the third resonator node 130 and ground.

特許公表平９－５０４１５７
WO9605628より引用

respectively #03

該スルーホールは実質的に導電材料でコーティングされかつ各々底部１６上のメタリゼイションに接続された、第１、第２、第３および第４のスルーホール、それぞれ、２６，２７，２８および２９を含む。

The through-holes include a first, second, third and fourth through-hole 26, 27, 28 and 29, respectively which are substantially coated with a conductive material, and each is connected to the metallization on the bottom 16.

特許公表平９－５０４１５７
WO9605628より引用

the＋比較級, the＋比較級 #02

典型的には、通過帯域が狭くなればなるほど、挿入損失は低下し、これは重要な電気的パラメータである。

Typically, the tighter the passband, the lower the insertion loss, which is an important electrical parameter.

特許公表平９－５０４１５７
WO9605628より引用

necessarily

これらのフィルタは、二三のチャネルにおいてのみ動作する、等価な性能を備えたフィルタよりも必然的に大きくならなければならない。

These filters must necessarily be larger than a filter with an equivalent performance, which operates over only a few channels.

特許公表平９－５０４１５７
WO9605628より引用

will be using

このような機器におけるバンドパスフィルタは（最小の減衰と共に）前記送信または受信周波数範囲全体を通過させ、かつ、それぞれ、前記受信または送信周波数範囲全体を減衰させるように作られるべきであり、これはたとえ前記装置が任意の与えられた時間に各々の範囲またはレンジにおいて１つのチャネルのみを使用する場合にも当てはまる。

Bandpass filters in this equipment should be made to pass (with minimal attenuation) the entire transmit or receive frequency range, and attenuate the entire receive or transmit frequency range, respectively, even though the device will be using only one channel in each range at any given time.

特許公表平９－５０４１５７
WO9605628より引用

each of 名詞の複数形 動詞の単数形

これらの周波数範囲の各々は、図１に示されるように、チャネルとして知られる数多くのより小さな周波数範囲に再分割される。

Each of these frequency ranges is subdivided into many smaller frequency ranges known as channels, as shown in FIG. 1.

特許公表平９－５０４１５７
WO9605628より引用

＊Each of us has his [her] opinion.
我々はめいめいそれぞれの意見を持っている.
（研究社　新英和中辞典より引用）

consider

不要な信号を減衰するため、好ましくは周波数調整が可能なシャントゼロを備えた、周波数応答を操作しかつ調整するために容易に製造できるフィルタはフィルタの性能を改善しかつ、特にセラミックフィルタのような、フィルタにおける改善であると考えられる。

A filter which can be easily manufactured to manipulate and adjust the frequency response, preferably with a frequency adjustable shunt zero, to attenuate unwanted signals, could improve the performance of a filter and would be considered an improvement in filters, and particularly ceramic filters.

特許公表平９－５０４１５７
WO9605628より引用

＊consider
(…を)〈…だと〉みなす, 考える 《★進行形なし》
　･[+目+(to be)補] We consider Shakespeare a great poet. 我々はシェイクスピアを大詩人とみなしている
　･He's considered a fool. 彼はばかだとみなされている《★【用法】 受身の文では通例 to be は用いない》
　･I consider myself (to be) lucky. 私は自分が幸運だと考えている《★to be が入るとより形式ばった表現になる》
　･[+目+as補] She considers marriage as the ideal human relationship. 彼女は結婚を理想的な人間関係とみなしている
（研究社　新英和中辞典より引用）

likewise

頭部面取り部はセル間結合を規定しかつ同様にフィルタ応答における伝送ゼロの位置を規定する。

The top chamfers help define the intercell couplings and likewise define the location of the transmission zero in the filter response.

特許公表平９－５０４１５７
WO9605628より引用

help＋原形不定詞

該パターンは共振器の間の結合を規定することを助け、かつ伝送ゼロ（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｚｅｒｏｓ）の周波数を規定することができる。

The pattern helps define coupling between resonators, and can define frequencies of transmission zeros.

特許公表平９－５０４１５７
WO9605628より引用

＊《★【用法】 help の後に原形不定詞を用いるのは 《米》 に多く, to 不定詞を用いるのは 《英》 に多いが, 《口》 では 《米》 《英》 とも原形不定詞を用いるのが一般的》
（研究社　新英和中辞典より引用）

serve

このパターンはコムラインフィルタの共振器に負荷を与えかつ該共振器を短縮するよう作用する。

This pattern serves to load and shorten resonators of a combline filter.

特許公表平９－５０４１５７
WO9605628より引用

relationship 関係

第２図は、キャパシタンスとデバイス１０の両端間電圧の関係を示すグラフである。

Figure 2 is a graph showing the relationship between the capacitance and voltage across device 10.

特許公表平９－５０４１４３
WO9605619より引用

at the expense of

ドーピングの程度が高いほどデバイスの直列抵抗は減少するが、「パンチスルー」電圧が高くなるという犠牲を伴う。

Higher doping reduces the series resistance of the device at the expense of a higher "punch-through"voltage.

特許公表平９－５０４１４３
WO9605619より引用

in part 一部分; ある程度, いくぶん

構造１０の各層の厚さは、一部には、希望するキャパシタンス変化によって決まる。

The thicknesses of the layers of structure 10 are determined in part by the capacitance change desired.

特許公表平９－５０４１４３
WO9605619より引用

＊タイトルの訳は、研究社　新英和中辞典より引用

beneath

接点３０の下の領域３４内にイオン（たとえばシリコン）注入を行うこともできる。

Ion (e. g., silicon) implantation may be applied beneath contact 30 in region 34.

特許公表平９－５０４１４３
WO9605619より引用

･beneath the surface 表面下で
･the ground beneath one's feet 足の下の地面
（研究社　新英和中辞典より引用）

make＋目的語＋補語

この特徴により、ダイオードは、位相シフタ・発振器、周波数逓倍器に大いに応用可能なものとなる。

This characteristic makes the diode greatly applicable to phase shifters, oscillators and frequency multipliers.

特許公表平９－５０４１４３
WO9605619より引用

remain＋補語

ダイオードの両端間の電圧がパンチスルー領域の近傍にない場合、電圧の変動に対してキャパシタンスはかなり一定のままとなる。

For voltages across the diode that are not near the punch-through regions, the capacitance remains fairly constant for a variation of voltage.

特許公表平９－５０４１４３
WO9605619より引用

as につれて

集積回路関連で使用されている平面状バラクタ・ダイオードは一般に、ダイオードの直列抵抗の増加によりダイオードが使用されるにつれて、そのクォリティ・ファクタすなわちＱが著しく低下する。

Planar varactor diodes of the related art that have been used in integrated circuits typically have a quality factor or Q that degrades significantly as the diode is depleted due to an increased series resistance in the diode.

特許公表平９－５０４１４３
WO9605619より引用

inexpensive

デジタル信号によって周波数変調された無線信号を受信するページャなどの無線受信機は小型・低コストとなるように設計され、一般に周波数判定回路および帯域通過フィルタの両方を利用する。

Radio receivers, such as pagers, which receive radio signals frequency modulated by digital signals, are designed to be very small and inexpensive, and typically use both frequency determining circuits and bandpass filters.

特許公表平９－５１０８５３
WO9608100より引用

SYN　安い:
＊cheap 値段が安い《しばしば安ぴか･劣等などを暗示する》: a cheap pair of shoes 安物の靴.　★中立的な意味では, low-priced がある.
＊inexpensive 値段があまり高くない《物の価値が値段相当であることを暗示する》: an inexpensive dress 高くないドレス.
＊reasonable 〈値段が〉手ごろな: reasonable prices 手ごろな値段.
ANT costly, expensive, dear.
（研究社　新英和大辞典より引用）

in addition さらに、その上

その上、反対極性のストローブ・パルス部分は、ＩＦ導波路の各導体に供給される。

In addition, strobe pulse portions of opposite polarity are delivered to the respective conductors of the IF waveguide.

特許公表２００４－５３１１３０
WO02084786より引用

period

アドレッシング期間中、駆動トランジスタＴ２は、トランジスタＴ４によりアドレッシングトランジスタＴ１にダイオード接続され、発光素子１４はトランジスタＴ３により回路から隔離される。

During the addressing period the driving transistor T2 is diode-connected by the transistor T4 to addressing transistor T1, and the emissive element 14 is isolated from the circuit by the transistor T3.

特許公表２００７－５０３６１０
WO2005022499

＊by periods 周期的に
＊during [throughout] the whole [entire] period of the crisis その危機の全期間の間に[にわたって].
（研究社　新英和大辞典より引用）

fall under に属する

電圧アドレス表示画素３は、さらなるトランジスタを利用可能な多数の変形において知られていることに留意されたい。このような変形は、本発明の範囲内に属する。
It is noted that voltage addressed display pixels 3 are known in many variants that may employ further transistors. Such variants fall under the scope of the present invention.

特許公表２００７－５０３６１０
WO2005022499

pass

Ｔ１は、適切な選択信号が受信された場合、特定フレ�