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パージングサイクルを省くこと、従来の技術では行なわれていた成長サイクルを中断しないこと、及びエピタキシャル層全体を一つの連続した成長サイクルにて成長させることで、図4のSIMSプロットに示されるように、ドーパントプロフィルが改善される。
Omitting the purging cycles, not using the interrupted growth cycle according to a method of the prior art, and growing the entire epitaxial layer in one continuous growth cycle, gives rise to the improvements in the dopant profile depicted in the SIMS plot of Figure 4.
特許公表2004-533715
WO02079551より引用
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