http://xenakis.cocolog-tcom.com/blog/ このブログでは、知財翻訳や特許翻訳に使えそうな英文、英語、表現、文例、例文、対訳、用例などを載せています。 なお、原文と訳文は、USPTO/WIPO/特許電子図書館に掲載されているものをそのまま載せます。つまり管理人の翻訳ではありません。特許文章はスピードが第一に要求されるため、誤訳などが多くあります。その点を注意して参考程度にご覧ください。 ja-JP 2008-07-21T01:09:34+09:00 http://xenakis.cocolog-tcom.com/blog/2008/07/be_doped_ntype_.html エミッタおよびコレクタがｎ型にドープされ、ベースがｐ型にドープされている場合、こ... <p>エミッタおよびコレクタがｎ型にドープされ、ベースがｐ型にドープされている場合、このデバイスは、「ｎｐｎ」型トランジスタになる。</p> <p>If the emitter and collector are doped n-type and the base is doped p-type, the device is an&quot;npn&quot; transistor.</p> <p>特許公表２００４－５３２５３４<br />WO03001603より引用</p> WIPO & IPDL 技術英語一般 クセナキス 2008-07-21T01:09:34+09:00 http://xenakis.cocolog-tcom.com/blog/2008/07/post_9f02.html これら３つの領域のそれぞれに外部リード線を取り付けることができ、これらのリード線... <p>これら３つの領域のそれぞれに外部リード線を取り付けることができ、これらのリード線を使用して、デバイスに外部電圧および電流を印加することができる。</p> <p>External leads can be attached to each of the three regions and external voltages and currents can be applied to the device using these leads.</p> <p>特許公表２００４－５３２５３４<br />WO03001603より引用</p> WIPO & IPDL 技術英語一般 クセナキス 2008-07-21T01:05:22+09:00 http://xenakis.cocolog-tcom.com/blog/2008/07/nearby_4983.html 近傍の接合部のバイアスを変えることによって一方のｐ－ｎ接合中で電流の変調を行うこ... <p>近傍の接合部のバイアスを変えることによって一方のｐ－ｎ接合中で電流の変調を行うことを「バイポーラ・トランジスタ動作」と呼ぶ。</p> <p>Modulation of the current flow in one p-n junction by changing the bias of the nearby junction is called &quot;bipolar-transistor action.&quot;</p> <p>特許公表２００４－５３２５３４<br />WO03001603より引用</p> WIPO & IPDL 技術英語一般 特許翻訳一般 クセナキス 2008-07-21T01:01:36+09:00 http://xenakis.cocolog-tcom.com/blog/2008/07/specific_982e.html 理想的には、この２つのｐ－ｎ接合（エミッタ－ベース接合およびコレクタ－ベース接合... <p>理想的には、この２つのｐ－ｎ接合（エミッタ－ベース接合およびコレクタ－ベース接合）は、互いに特定の距離だけ離間して、半導体材料の単一層中にある。</p> <p>Ideally, the two p-n junctions (the emitter-base and collector-base junctions) are in a single layer of semiconductor material separated by a specific distance.</p> <p>特許公表２００４－５３２５３４<br />WO03001603より引用</p> WIPO & IPDL 技術英語一般 クセナキス 2008-07-19T00:43:51+09:00 http://xenakis.cocolog-tcom.com/blog/2008/07/post_f779.html バイポーラ・トランジスタは、エミッタ、コレクタおよびエミッタとコレクタの間に配設... <p>バイポーラ・トランジスタは、エミッタ、コレクタおよびエミッタとコレクタの間に配設されたベースの３つのデバイス領域を有する。</p> <p>The bipolar transistor has three device regions: an emitter, a collector, and a base disposed between the emitter and the collector.</p> <p>特許公表２００４－５３２５３４<br />WO03001603より引用</p> <p>バイポーラ・トランジスタは、エミッタ、コレクタおよびエミッタとコレクタの間に配設されたベースの３つのデバイス領域を有する。</p> <p>The bipolar transistor has three device regions: an emitter, a collector, and a base disposed between the emitter and the collector.</p> <p>特許公表２００４－５３２５３４<br />WO03001603より引用</p> WIPO & IPDL 技術英語一般 クセナキス 2008-07-17T14:20:15+09:00 http://xenakis.cocolog-tcom.com/blog/2008/07/post_4f9e.html バイポーラ・トランジスタは、近接した２つのｐ－ｎ接合を備えた電子デバイスである。... <p>バイポーラ・トランジスタは、近接した２つのｐ－ｎ接合を備えた電子デバイスである。</p> <p>The bipolar transistor is an electronic device with two p-n junctions in close proximity.</p> <p>特許公表２００４－５３２５３４<br />WO03001603より引用</p> WIPO & IPDL 技術英語一般 クセナキス 2008-07-17T14:15:08+09:00 http://xenakis.cocolog-tcom.com/blog/2008/07/switch_89d7.html 第２応用例では、微小電流を用いて「オン」状態と「オフ」状態の間でトランジスタをス... <p>第２応用例では、微小電流を用いて「オン」状態と「オフ」状態の間でトランジスタをスイッチングする。</p> <p>In the second application, a small current is used to switch the transistor between an &quot;on&quot;&nbsp; state and an &quot;off&quot; state.</p> <p>特許公表２００４－５３２５３４<br />WO03001603より引用</p> WIPO & IPDL 技術英語一般 クセナキス 2008-07-17T14:13:23+09:00 http://xenakis.cocolog-tcom.com/blog/2008/07/post_1131.html この第１応用例では、トランジスタは、微小な交流信号を増幅するように働く。 In ... <p>この第１応用例では、トランジスタは、微小な交流信号を増幅するように働く。</p> <p>In the first application, the transistor functions to amplify small ac signals.</p> <p>特許公表２００４－５３２５３４<br />WO03001603より引用</p> WIPO & IPDL 技術英語一般 クセナキス 2008-07-17T14:11:15+09:00 http://xenakis.cocolog-tcom.com/blog/2008/07/be_used_as_xxxi.html 【背景技術】【０００２】トランジスタは、電子回路中で増幅またはスイッチングを行う... <p>【背景技術】<br />【０００２】<br />トランジスタは、電子回路中で増幅またはスイッチングを行うデバイスとして使用する。</p> <p>BACKGROUND OF THE INVENTION<br />Transistors are used as either amplifying or switching devices in electronic circuits.</p> <p>----<br />特許公表２００４－５３２５３４<br />WO03001603より引用</p> WIPO & IPDL 技術英語一般 クセナキス 2008-07-17T14:08:15+09:00 http://xenakis.cocolog-tcom.com/blog/2008/07/post_e473.html 本発明は、一般に、バイポーラ・トランジスタに関し、より詳細には、ＢｉＣＭＯＳ（バ... <p>本発明は、一般に、バイポーラ・トランジスタに関し、より詳細には、ＢｉＣＭＯＳ（バイポーラ・相補型金属酸化膜半導体）トランジスタ集積回路中に突出外因性ベースを備えるバイポーラ・トランジスタを形成するプロセスに関する。</p> <p>The present invention relates generally to bipolar transistors and, more particularly, to a process for forming a bipolar transistor with a raised extrinsic base in an integrated bipolar and complementary metal-oxide-semiconductor (BiCMOS) transistor circuit.</p> <p>特許公表２００４－５３２５３４<br />WO03001603より引用</p> <p>★「一般に」と「より詳細には」は、定型文中の定型文である。</p> WIPO & IPDL 技術英語一般 特許翻訳一般 クセナキス 2008-07-17T14:02:49+09:00